La demostración de referencia de topología multinivel aborda GaN para satisfacer las necesidades industriales y de vehículos eléctricos

Actualización: 13 de mayo de 2023

Inociencia Tecnología ha colaborado con la Universidad de Ciencias Aplicadas de Berna para proporcionar una demostración de referencia que emplea sus dispositivos InnoGaN HEMT de 650 V en una topología multinivel para cumplir con aplicaciones de 850 V CC, incluidos controladores de motores de movilidad eléctrica, inversores solares e industriales, cargadores rápidos de vehículos eléctricos y, potencialmente, vehículos eléctricos. transmisiones.

La ANPC de tres niveles convertidor emplea los HEMT INN650D080BS de 650 V y 80 mOhm de Innoscience en el paquete DFN de 8 mm x 8 mm. Sin amortiguador condensadores o se necesitan costosos diodos de SiC, lo que reduce el costo del sistema.

Explica el profesor Timothé Delaforge de la BFH, que trabajó en este desarrollo con el profesor Sébastien Mariéthoz, también de la BFH: “A voltajes más altos, las topologías clásicas de dos niveles, como un medio puente, no son prácticas, ya que los HEMT con clasificación de 650 V fallarán. . Pero hay muchas otras topologías que significan que podemos mantener la operación voltaje del HEMT muy por debajo de su voltaje nominal mientras trabaja con voltajes de bus de CC mucho más altos. En este caso, elegimos la topología ANPC porque nos permite conmutar 850 V CC sin necesidad de SiC. 850 V es lo suficientemente alto para muchas aplicaciones industriales y de movilidad eléctrica, incluso potencialmente para trenes de transmisión EV, si se tiene el cuidado suficiente en el diseño de circuitos para minimizar los parásitos”.

Continúa: "Elegimos los HEMT InnoGaN de Innoscience porque son muy eficientes y fiables, además de ser los dispositivos más rentables disponibles en el mercado".

El Dr. Denis Marcon, director general de Innoscience en Europa, añade: “Aunque este diseño utiliza seis HEMT porque estamos conmutando a una frecuencia mucho más alta, podemos reducir el tamaño del filtro y, por tanto, reducir el tamaño total del convertidor. Además, con nuestros HEMT InnoGaN, podemos lograr eficiencias de inversor del 99 %, lo que aumenta la confiabilidad del sistema y reduce los costos”.

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