masumiyet Teknoloji e-mobilite motor sürücüleri, güneş enerjisi ve endüstriyel invertörler, EV hızlı şarj cihazları ve potansiyel olarak EV dahil olmak üzere 650VDC uygulamalarını yerine getirmek için 850V InnoGaN HEMT cihazlarını çok seviyeli bir topolojide kullanan bir referans demosu sağlamak üzere Bern Uygulamalı Bilimler Üniversitesi ile işbirliği yaptı. aktarma organları.
Üç seviyeli ANPC Dönüştürücü Innoscience'ın INN650D080BS 650V, 80mOhm HEMT'lerini 8mm x 8mm DFN paketinde kullanıyor. Aşağılayıcı yok Kondansatörler veya pahalı SiC diyotlara ihtiyaç duyulur, bu da sistem maliyetini düşürür.
Bu gelişme üzerinde yine BFH'den Profesör Sébastien Mariéthoz ile birlikte çalışan BFH'den Profesör Timothé Delaforge şöyle açıklıyor: "Daha yüksek voltajlarda, yarım köprü gibi klasik iki seviyeli topolojiler 650V dereceli HEMT'ler başarısız olacağından pratik değildir. . Ancak çalışmayı sürdürebileceğimiz anlamına gelen başka birçok topoloji de var Voltaj Çok daha yüksek DC bara gerilimleriyle çalışırken HEMT'nin nominal geriliminin oldukça altında. Bu durumda ANPC topolojisini seçtik çünkü SiC'ye ihtiyaç duymadan 850VDC'ye geçiş yapmamızı sağlıyor. Devre tasarımına parazitleri en aza indirecek kadar özen gösterilirse, 850V birçok endüstriyel ve e-mobilite uygulaması için (hatta potansiyel olarak EV aktarma organları için bile) yeterince yüksektir."
Şöyle devam ediyor: "Innoscience'ın InnoGaN HEMT'lerini çok yüksek verimlilik ve güvenilirliğe sahip olmalarının yanı sıra piyasadaki en uygun maliyetli cihazlar oldukları için seçtik."
Innoscience'ın Avrupa genel müdürü Dr. Denis Marcon şunları ekliyor: “Çok daha yüksek frekansta anahtarlama yaptığımız için bu tasarımda altı HEMT kullanılmasına rağmen, filtrenin boyutunu küçültebilir ve dolayısıyla dönüştürücünün genel boyutunu küçültebiliriz. Ayrıca InnoGaN HEMT'lerimiz ile %99'luk invertör verimliliğine ulaşabiliyoruz, bu da sistem güvenilirliğini artırıyor ve maliyeti düşürüyor."
Daha fazla göster : IGBT modülleri | LCD ekranlar | Elektronik Bileşenler