Khoa học Công nghệ đã hợp tác với Đại học Khoa học Ứng dụng Bern để cung cấp bản demo tham khảo sử dụng các thiết bị InnoGaN HEMT 650V của mình trong cấu trúc liên kết đa cấp để đáp ứng các ứng dụng 850VDC, bao gồm trình điều khiển động cơ di động điện tử, bộ biến tần công nghiệp và năng lượng mặt trời, bộ sạc nhanh EV và có thể là EV hệ thống truyền động.
ANPC ba cấp độ chuyển đổi sử dụng HEMTs INN650D080BS 650V, 80mOhm của Innoscience trong gói DFN 8mm x 8mm. không hợm hĩnh Tụ hoặc điốt SiC đắt tiền là cần thiết, giảm chi phí hệ thống.
Giáo sư Timothé Delaforge của BFH, người đã làm việc với sự phát triển này cùng với Giáo sư Sébastien Mariéthoz, cũng của BFH, giải thích: “Ở điện áp cao hơn, các cấu trúc liên kết hai cấp cổ điển như nửa cầu không thực tế vì các HEMT định mức 650V sẽ thất bại . Nhưng có nhiều cấu trúc liên kết khác có nghĩa là chúng ta có thể duy trì hoạt động Vôn của HEMT thấp hơn nhiều so với điện áp định mức của nó trong khi làm việc với điện áp bus DC cao hơn nhiều. Trong trường hợp này, chúng tôi chọn cấu trúc liên kết ANPC vì nó cho phép chúng tôi chuyển đổi 850VDC mà không cần SiC. 850V là đủ cao cho nhiều ứng dụng công nghiệp và di động điện tử – thậm chí có khả năng là hệ thống truyền động EV – nếu thiết kế tuần hoàn được thực hiện cẩn thận để giảm thiểu ký sinh trùng.”
Anh ấy tiếp tục: “Chúng tôi đã chọn InnoGaN HEMTs của Innoscience vì chúng có hiệu quả rất cao và đáng tin cậy, đồng thời cũng là thiết bị tiết kiệm chi phí nhất hiện có trên thị trường.”
Tiến sĩ Denis Marcon, tổng giám đốc của Innoscience, Châu Âu, cho biết thêm: “Mặc dù thiết kế này sử dụng sáu HEMT vì chúng tôi đang chuyển đổi ở tần số cao hơn nhiều, nhưng chúng tôi có thể giảm kích thước của bộ lọc và do đó thu nhỏ kích thước tổng thể của bộ chuyển đổi. Ngoài ra, với InnoGaN HEMTs của chúng tôi, chúng tôi có thể đạt được hiệu suất biến tần là 99%, tăng độ tin cậy của hệ thống và giảm chi phí.”
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử