Innoscience Teknologi telah bekerjasama dengan Universiti Sains Gunaan Bern untuk menyediakan demo rujukan yang menggunakan peranti 650V InnoGaN HEMT dalam topologi berbilang peringkat untuk memenuhi aplikasi 850VDC, termasuk sebagai pemacu motor e-mobiliti, penyongsang suria dan industri, pengecas pantas EV dan berpotensi EV. pemanduan.
ANPC tiga peringkat Penukar menggunakan INN650D080BS 650V, 80mOhm HEMT Innoscience dalam pakej DFN 8mm x 8mm. Tiada snubber Kapasitor atau diod SiC yang mahal diperlukan, mengurangkan kos sistem.
Jelas Profesor Timothé Delaforge dari BFH, yang bekerja pada pembangunan ini dengan Profesor Sébastien Mariéthoz, juga dari BFH: "Pada voltan yang lebih tinggi, topologi dua peringkat klasik seperti jambatan separuh tidak praktikal kerana HEMT berkadar 650V akan gagal. . Tetapi terdapat banyak topologi lain yang bermakna kita boleh terus beroperasi voltan HEMT jauh di bawah voltan terkadarnya semasa bekerja dengan voltan bas DC yang lebih tinggi. Dalam kes ini, kami memilih topologi ANPC kerana ia membolehkan kami menukar 850VDC tanpa memerlukan SiC. 850V cukup tinggi untuk banyak aplikasi perindustrian dan e-mobiliti - malah berpotensi EV drivetrains - jika penjagaan yang mencukupi diambil pada reka bentuk litar untuk meminimumkan parasit."
Beliau meneruskan: "Kami memilih InnoGaN HEMT Innoscience kerana ia adalah kecekapan yang sangat tinggi dan boleh dipercayai, sementara juga merupakan peranti paling kos efektif yang terdapat di pasaran."
Dr Denis Marcon, pengurus besar Innoscience, Eropah, menambah: “Walaupun reka bentuk ini menggunakan enam HEMT kerana kami beralih pada frekuensi yang lebih tinggi, kami boleh mengurangkan saiz penapis dan seterusnya mengecilkan saiz keseluruhan penukar. Selain itu, dengan HEMT InnoGaN kami, kami boleh mencapai kecekapan penyongsang sebanyak 99%, meningkatkan kebolehpercayaan sistem dan mengurangkan kos.”
Lihat lagi: modul IGBT | Memaparkan LCD | Komponen Elektronik