Innoscience Technologie a collaboré avec la Haute école spécialisée de Berne pour fournir une démonstration de référence qui utilise ses dispositifs InnoGaN HEMT 650 V dans une topologie multiniveau pour répondre aux applications 850 V CC, notamment en tant que pilotes de moteurs de mobilité électrique, onduleurs solaires et industriels, chargeurs rapides pour véhicules électriques et potentiellement pour véhicules électriques. transmissions.
L'ANPC à trois niveaux convertisseur utilise les HEMT INN650D080BS 650V, 80mOhm d'Innoscience dans le boîtier DFN 8mm x 8mm. Pas d'amortisseur Condensateurs ou des diodes SiC coûteuses sont nécessaires, ce qui réduit le coût du système.
Explique le professeur Timothé Delaforge de la BFH, qui a travaillé sur ce développement avec le professeur Sébastien Mariéthoz, également de la BFH : « A des tensions plus élevées, les topologies classiques à deux niveaux comme un demi-pont ne sont pas pratiques car les HEMT à 650 V échoueront. . Mais il existe de nombreuses autres topologies qui permettent de conserver le fonctionnement Tension du HEMT bien en dessous de sa tension nominale tout en travaillant avec des tensions de bus CC beaucoup plus élevées. Dans ce cas, nous avons choisi la topologie ANPC car elle nous permet de commuter 850VDC sans avoir besoin de SiC. 850V est suffisamment élevé pour de nombreuses applications industrielles et de mobilité électrique - même potentiellement des transmissions EV - si suffisamment de soin est apporté à la conception des circuits pour minimiser les parasites.
Il poursuit : « Nous avons choisi les HEMT InnoGaN d'Innoscience car ils sont très efficaces et fiables, tout en étant les appareils les plus rentables disponibles sur le marché.
Le Dr Denis Marcon, directeur général d'Innoscience pour l'Europe, ajoute : « Bien que cette conception utilise six HEMT parce que nous commutons à une fréquence beaucoup plus élevée, nous pouvons réduire la taille du filtre et donc réduire la taille globale du convertisseur. De plus, avec nos HEMT InnoGaN, nous pouvons atteindre des rendements d'onduleur de 99 %, augmentant la fiabilité du système et réduisant les coûts.
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