tidak tahu apa-apa Teknologi telah berkolaborasi dengan Bern University of Applied Sciences untuk memberikan demo referensi yang menggunakan perangkat HEMT InnoGaN 650V dalam topologi bertingkat untuk memenuhi aplikasi 850VDC, termasuk sebagai penggerak motor e-mobilitas, inverter surya dan industri, pengisi daya cepat EV, dan kemungkinan EV kereta penggerak.
ANPC tiga tingkat Converter menggunakan INN650D080BS 650V, 80mOhm HEMT Innoscience dalam paket DFN 8mm x 8mm. Tidak ada snubber Kapasitor atau dioda SiC yang mahal diperlukan, menurunkan biaya sistem.
Profesor Timothé Delaforge dari BFH menjelaskan, yang mengerjakan pengembangan ini bersama Profesor Sébastien Mariéthoz, juga dari BFH: “Pada voltase yang lebih tinggi, topologi dua tingkat klasik seperti jembatan setengah tidak praktis karena HEMT dengan tegangan 650V akan gagal. . Tetapi ada banyak topologi lain yang berarti kita dapat tetap beroperasi tegangan dari HEMT jauh di bawah voltase pengenalnya saat bekerja dengan voltase bus DC yang jauh lebih tinggi. Dalam hal ini, kami memilih topologi ANPC karena memungkinkan kami untuk mengganti 850VDC tanpa memerlukan SiC. 850V cukup tinggi untuk banyak aplikasi industri dan e-mobilitas – bahkan drivetrain EV yang potensial – jika desain sirkuit cukup hati-hati untuk meminimalkan parasitik.”
Dia melanjutkan: “Kami memilih InnoGaN HEMTs dari Innoscience karena efisiensinya sangat tinggi dan andal, sekaligus menjadi perangkat paling hemat biaya yang tersedia di pasar.”
Dr Denis Marcon, manajer umum Innoscience, Eropa, menambahkan: “Meskipun desain ini menggunakan enam HEMT karena kami beralih pada frekuensi yang jauh lebih tinggi, kami dapat mengurangi ukuran filter sehingga mengecilkan ukuran konverter secara keseluruhan. Selain itu, dengan HEMT InnoGaN kami, kami dapat mencapai efisiensi inverter sebesar 99%, meningkatkan keandalan sistem, dan menurunkan biaya.”
Lihat lebih banyak: modul IGBT | Layar LCD | Komponen Elektronik