#RTQ035N03 ROHM RTQ035N03 Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 3.5A I (D), 30V, 0.077ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TSMT6, 6 PIN, imágenes RTQ035N03, precio RTQ035N03, proveedor # RTQ035N03
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: RTQ035N03TR
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 7.87
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 3.5 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 3.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.077 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e1
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 6
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 1.25 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 15 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado del terminal: Estaño / Plata / Cobre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 3.5AI (D), 30V, 0.077ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, TSMT6, 6 PIN
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 7.87
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 3.5 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 3.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.077 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e1
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 6
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 1.25 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 15 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado del terminal: Estaño / Plata / Cobre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 3.5AI (D), 30V, 0.077ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, TSMT6, 6 PIN