#RTQ035N03 ROHM RTQ035N03 Новый силовой полевой эффект Транзистор, 3.5A I (D), 30 В, 0.077 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое FET, TSMT6, 6 PIN, картинки RTQ035N03, цена RTQ035N03, # RTQ035N03 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/rtq035n03.html
-----------------------
Номер детали производителя: RTQ035N03TR
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: не рекомендуется
Ihs Производитель: ROHM CO LTD
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Количество контактов: 6
Код ECCN: EAR99
Производитель: ROHM Полупроводниковое
Рейтинг риска: 7.87
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 3.5 A
Максимальный ток стока (ID): 3.5 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.077 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e1.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.25 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 15 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Отделка клемм: олово / серебро / медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Силовой полевой транзистор, 3.5AI (D), 30 В, 0.077 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TSMT6, 6-контактный
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: не рекомендуется
Ihs Производитель: ROHM CO LTD
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Количество контактов: 6
Код ECCN: EAR99
Производитель: ROHM Полупроводниковое
Рейтинг риска: 7.87
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 3.5 A
Максимальный ток стока (ID): 3.5 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.077 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e1.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.25 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 15 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Отделка клемм: олово / серебро / медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Силовой полевой транзистор, 3.5AI (D), 30 В, 0.077 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TSMT6, 6-контактный