#RTQ035N03 ROHM RTQ035N03 Nieuw vermogensveldeffect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.077ohm, 1-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide Halfgeleider FET, TSMT6, 6 PIN, RTQ035N03 afbeeldingen, RTQ035N03 prijs, #RTQ035N03 leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/rtq035n03.html
-----------------------
Onderdeelnummer fabrikant: RTQ035N03TR
Pbfree-code: Ja
Code deel levenscyclus: niet aanbevolen
Ihs Fabrikant: ROHM CO LTD
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-G6
Aantal pinnen: 6
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: ROHM Halfgeleider
Risicorang: 7.87
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 3.5 A
Afvoerstroom-Max (ID): 3.5 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.077 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE HALFGELEIDER
JESD-30-code: R-PDSO-G6
JESD-609-code: e1
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 6
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 1.25 W
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 15 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: Tin/Zilver/Koper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminal Form: Meeuw VLEUGEL
Eindpositie: DUAL
Tijd
Vermogensveldeffecttransistor, 3.5AI(D), 30V, 0.077ohm, 1-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide halfgeleider FET, TSMT6, 6 PIN
Pbfree-code: Ja
Code deel levenscyclus: niet aanbevolen
Ihs Fabrikant: ROHM CO LTD
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-G6
Aantal pinnen: 6
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: ROHM Halfgeleider
Risicorang: 7.87
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 3.5 A
Afvoerstroom-Max (ID): 3.5 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.077 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE HALFGELEIDER
JESD-30-code: R-PDSO-G6
JESD-609-code: e1
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 6
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 1.25 W
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 15 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: Tin/Zilver/Koper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminal Form: Meeuw VLEUGEL
Eindpositie: DUAL
Tijd
Vermogensveldeffecttransistor, 3.5AI(D), 30V, 0.077ohm, 1-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide halfgeleider FET, TSMT6, 6 PIN