#RTQ035N03 ROHM RTQ035N03 Novo Efeito de Campo de Potência Transistor, 3.5A I (D), 30V, 0.077ohm, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, TSMT6, 6 PIN, RTQ035N03 imagens, preço RTQ035N03, fornecedor # RTQ035N03
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rtq035n03.html
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Número da peça do fabricante: RTQ035N03TR
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: não recomendado
Fabricante Ihs: ROHM CO LTD
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Contagem de pinos: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semicondutores
Classificação de risco: 7.87
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 3.5 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 3.5 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.077 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e1
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 6
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 1.25 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 15 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: Estanho / Prata / Cobre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 3.5AI (D), 30 V, 0.077 ohm, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, TSMT6, 6 PIN
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: não recomendado
Fabricante Ihs: ROHM CO LTD
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Contagem de pinos: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semicondutores
Classificação de risco: 7.87
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 3.5 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 3.5 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.077 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e1
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 6
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 1.25 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 15 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: Estanho / Prata / Cobre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de potência, 3.5AI (D), 30 V, 0.077 ohm, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, TSMT6, 6 PIN