#RTQ035N03 ROHMRTQ035N03新しいパワーフィールド効果 トランジスタ、3.5A I（D）、30V、0.077オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、TSMT6、6ピン、RTQ035N03写真、RTQ035N03価格、＃RTQ035N03サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rtq035n03.html
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メーカー部品番号: RTQ035N03TR
Pbfreeコード：はい
部品のライフサイクルコード：推奨されません
Ihsメーカー：ROHM CO LTD
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PDSO-G6
ピン数：6
ECCNコード：EAR99
メーカー：ローム 半導体
リスクランク：7.87
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：30 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：3.5 A
ドレイン電流-最大（ID）：3.5 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.077Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JESD-30コード：R-PDSO-G6
JESD-609コード：e1
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：6
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：260
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力-最大（絶対）：1.25 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：15 A
資格ステータス：資格なし
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
端子仕上げ：錫/銀/銅（Sn96.5Ag3.0Cu0.5）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：DUAL
Time
パワー電界効果トランジスタ、3.5AI（D）、30V、0.077オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化膜半導体FET、TSMT6、6ピン
Pbfreeコード：はい
部品のライフサイクルコード：推奨されません
Ihsメーカー：ROHM CO LTD
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PDSO-G6
ピン数：6
ECCNコード：EAR99
メーカー：ローム 半導体
リスクランク：7.87
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：30 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：3.5 A
ドレイン電流-最大（ID）：3.5 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.077Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JESD-30コード：R-PDSO-G6
JESD-609コード：e1
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：6
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：260
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力-最大（絶対）：1.25 W
パルスドレイン電流-最大（IDM）：15 A
資格ステータス：資格なし
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
端子仕上げ：錫/銀/銅（Sn96.5Ag3.0Cu0.5）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：DUAL
Time
パワー電界効果トランジスタ、3.5AI（D）、30V、0.077オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化膜半導体FET、TSMT6、6ピン