#RTQ035N03 ROHM RTQ035N03 Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 3.5 A I(D), 30 V, 0.077 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TSMT6, 6 broches, images RTQ035N03, prix RTQ035N03, fournisseur #RTQ035N03
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rtq035n03.html
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Numéro de pièce du fabricant: RTQ035N03TR
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant : ROHM CO LTD
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 7.87
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 3.5 A
Courant de drain-Max (ID): 3.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.077 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G6
Code JESD-609: e1
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 6
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.25 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 15 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain/argent/cuivre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 3.5AI(D), 30V, 0.077ohm, 1 élément, canal N, silicium, FET semi-conducteur à oxyde métallique, TSMT6, 6 broches
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant : ROHM CO LTD
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 7.87
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 3.5 A
Courant de drain-Max (ID): 3.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.077 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G6
Code JESD-609: e1
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 6
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.25 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 15 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain/argent/cuivre (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 3.5AI(D), 30V, 0.077ohm, 1 élément, canal N, silicium, FET semi-conducteur à oxyde métallique, TSMT6, 6 broches