הוא נקרא UCC5880-Q1, נמצא בייצור קדם וגיליון הנתונים המלא טרם פורסם לציבור.
מאפיין חדשני אחד שנחשף הוא שלמכשיר יש שני דרייברים מקבילים בצד גבוה ושני דרייברים מקבילים בצד נמוך עבור השער הבא.
בכל מקרה, דרייבר אחד של זוג יכול לספק עד 5A והשני עד 15A.
ניתן להפעיל ולנטרל אותם תוך כדי תנועה כדי לשנות את הכונן על פני 5A - 15A - 20A.
כל אחת מארבעת היציאות היא באמצעות סיכה נפרדת, המאפשרת להחיל ארבעה נגדים נפרדים מסדרת מגבילים.
כונן משתנה נכלל לניהול ירי יתר חולף בצומת הפלט של ההתקן המונע. "סוללה טעונה במלואה עם מצב טעינה של 100% עד 80% צריכה להשתמש בחוזק כונן שער נמוך כדי לשמור על SiC מתח לעלות על הגבולות", אמר ג'ורג' לקאס מ-TI. "כאשר טעינת הסוללה יורדת מ-80% ל-20%, שימוש בחוזק כונן שער גבוה מפחית את הפסדי המיתוג ומגביר את יעילות מהפך המתיחה. תרחישים אלו אפשריים במהלך 75% ממחזור הטעינה, כך שרווחי היעילות יכולים להיות משמעותיים למדי".
כוח טרנזיסטור הגנות כוללות shunt נַגָד זיהוי זרם יתר, טמפרטורת יתר וחוסר רוויה, ויש כיבוי רך לבחירה או כיבוי רך דו-מפלסי כתגובה לתקלות אלו.
מהדק מילר פעיל כלול, כמו גם משיכה של שער פעיל בזמן שהנהג אינו מופעל.
ADC של 10 סיביות מאפשר ניטור של עד שתי כניסות אנלוגיות, מתח האספקה בצד המשני, desat וטמפרטורת הנהג. חלק זה של חבילת מעגלי בדיקה עצמית מובנים.
"פונקציות אבחון וזיהוי משולבות כדי לפשט את התכנון של מערכות תואמות ASIL", על פי TI. "הפרמטרים והסף של תכונות אלה ניתנים להגדרה
באמצעות ממשק SPI, המאפשר להשתמש במכשיר עם כמעט כל SiC MOSFET or IGBT".
תיעוד יהיה זמין כדי לסייע בתכנון מערכת ISO 26262 עד ASIL D
מעברים במצב נפוץ של עד 100kV/µs מותרים על פני מחסום הבידוד, ובדיקת בידוד של 5kVrms למשך דקה אחת לפי UL1 נמצאת בצנרת.
האריזה היא 10.5 x 7.5 מ"מ 32pad SSOP.
TI מדגים את UCC5880-Q1 בדוכן 459 באולם 7 ב-PCIM אירופה השבוע (9 - 11 במאי), או מצא את דף המוצר UCC5880-Q1 כאן, ודף נתונים ראשוני משמעותי כאן.
ראה עוד : מודולי IGBT | LCD מציג | רכיבים אלקטרוניים