UCC5880-Q1이라고 하는 이 제품은 사전 생산 중이며 전체 데이터 시트는 아직 공개되지 않았습니다.
공개된 한 가지 새로운 기능은 이 장치에 다음 게이트에 대해 XNUMX개의 병렬 하이 사이드 드라이버와 XNUMX개의 병렬 로우 사이드 드라이버가 있다는 것입니다.
각각의 경우 한 쌍의 드라이버 하나는 최대 5A를 제공하고 다른 하나는 최대 15A를 제공할 수 있습니다.
드라이브를 5A – 15A – 20A에 걸쳐 변경하기 위해 즉석에서 활성화 및 비활성화할 수 있습니다.
XNUMX개의 출력은 각각 별도의 핀을 통해 이루어지므로 XNUMX개의 별도 슬루 제한 직렬 저항을 적용할 수 있습니다.
구동 장치의 출력 노드에서 과도 오버슈트 관리를 위해 가변 드라이브가 포함되었습니다. "충전 상태가 100%에서 80%인 완전히 충전된 배터리는 SiC를 유지하기 위해 낮은 게이트 드라이브 강도를 사용해야 합니다. 전압 한계 내에서 오버슈트합니다.”라고 TI의 George Lakkas는 말했습니다. “배터리 충전량이 80%에서 20%로 떨어지면서 높은 게이트 구동 강도를 사용하면 스위칭 손실이 줄어들고 트랙션 인버터 효율이 높아집니다. 이러한 시나리오는 충전 주기의 75% 동안 가능하므로 효율성 향상이 상당히 클 수 있습니다.”
출력 트랜지스터 보호에는 션트가 포함됩니다. 저항기 기반 과전류, 과열 및 불포화 감지, 이러한 오류에 대한 응답으로 선택 가능한 소프트 끄기 또는 XNUMX단계 소프트 끄기가 있습니다.
드라이버에 전원이 공급되지 않는 동안 활성 게이트 풀다운과 마찬가지로 활성 밀러 클램프가 포함됩니다.
10비트 ADC는 최대 XNUMX개의 아날로그 입력, XNUMX차측 공급 전압, 방전 및 드라이버 온도를 모니터링할 수 있습니다. 내장 자체 테스트 회로 모음의 이 부분입니다.
TI에 따르면 "진단 및 감지 기능이 통합되어 ASIL 준수 시스템의 설계를 단순화합니다." "이러한 기능에 대한 매개변수 및 임계값은 구성 가능합니다.
SPI 인터페이스를 사용하여 장치를 거의 모든 SiC와 함께 사용할 수 있습니다. 이끼 or IGBT. "
ASIL D까지 ISO 26262 시스템 설계를 지원하는 문서를 사용할 수 있습니다.
최대 100kV/µs의 공통 모드 과도 현상이 절연 장벽에서 허용되며 UL5에 따라 1분 동안 1577kVrms 절연 테스트가 파이프라인에 있습니다.
포장은 10.5 x 7.5mm 32pad SSOP입니다.
TI는 이번 주(5880월 1일~459일) PCIM 유럽에서 홀 7의 9번 스탠드에서 UCC11-Q5880을 시연하거나 여기에서 UCC1-QXNUMX 제품 페이지를, 여기에서 중요한 예비 데이터 시트를 찾을 수 있습니다.