Chamados de série GD25UF, eles funcionam de 1.14 V a 1.26 V e “fornecem uma arquitetura de sistema de energia mais simples e interface direta entre os pinos de E/S do SoC ou processador e o dispositivo GD25UF”, de acordo com a empresa.
O GD64UF25E de 64Mbit está em produção em embalagem SOP3 de 4 x 8 mm, USON4 de 4 x 8 mm, WLCSP ou matriz em bom estado.
O GD128UF25E de 128Mbit está em amostragem, e 32 e 256Mbit estão em andamento.
Um modo de baixo consumo de energia permite a operação de até 50MHz. Abaixo desta frequência, a leitura ativa é possível em 0.4mA. O desligamento profundo leva isso a 100nA.
No modo de leitura rápida, a operação é de até 120MHz e a transferência de dados de até 480Mbits/s.
Há também um modo 'low EMI', operando a 60MHz em uma interface quad I/O de taxa de transferência dupla (DTR), que também oferece transferência de dados de 480Mbit/s enquanto minimiza o ruído gerado pelo clock, disse GigaDevice.
A operação está acima de -40 a + 85 ° C.
“Usuários de chips fabricados em nós de processo avançado exigem produtos de memória flash de baixa tensão
que são otimizados para os aplicativos que suportam, como dispositivos IoT, telefones celulares, PCs, laptops e dispositivos de consumo”, disse o diretor de marketing da GigaDevice, Syed Hussain.
A página do produto GD25UF64E pode ser encontrada aqui