Denominada serie GD25UF, funcionan de 1.14 V a 1.26 V y "proporcionan una arquitectura de sistema de alimentación más simple y una interfaz directa entre los pines de E/S del SoC o procesador y el dispositivo GD25UF", según la empresa.
El GD64UF25E de 64 Mbit está en producción en un paquete SOP3 de 4 x 8 mm, USON4 de 4 x 8 mm, WLCSP o matriz conocida.
El GD128UF25E de 128 Mbit está muestreando, y 32 y 256 Mbit están en preparación.
Un modo de bajo consumo permite el funcionamiento hasta 50 MHz. Por debajo de esta frecuencia, la lectura activa es posible a 0.4 mA. El apagado profundo lleva esto a 100 nA.
En el modo de lectura rápida, la operación es de hasta 120 MHz y la transferencia de datos de hasta 480 Mbits/s.
También hay un modo de 'EMI bajo', que funciona a 60 MHz a través de una interfaz de E/S cuádruple de tasa de transferencia doble (DTR), que también ofrece una transferencia de datos de 480 Mbit/s mientras minimiza el ruido generado por el reloj, dijo GigaDevice.
El funcionamiento es de -40 a + 85 ° C.
“Los usuarios de chips fabricados en nodos de procesos avanzados requieren productos de memoria flash de bajo voltaje
que están optimizados para las aplicaciones que admiten, como dispositivos IoT, teléfonos móviles, PC, portátiles y dispositivos de consumo”, dijo el director de marketing de GigaDevice, Syed Hussain.
La página del producto GD25UF64E se puede encontrar aquí