GD25UF 시리즈라고 불리는 이 제품은 1.14V-1.26V에서 실행되며 "단순한 전원 시스템 아키텍처를 제공하고 SoC 또는 프로세서의 I/O 핀과 GD25UF 장치 간의 직접 인터페이스를 제공합니다"라고 회사에 따르면 있습니다.
64Mbit GD25UF64E는 3 x 4mm SOP8 패키징, 4 x 4mm USON8, WLCSP 또는 알려진 양호한 다이로 생산 중입니다.
128Mbit GD25UF128E가 샘플링 중이고 32Mbit와 256Mbit가 파이프라인에 있습니다.
저전력 모드는 최대 50MHz까지 작동할 수 있습니다. 이 주파수 이하에서는 0.4mA에서 능동 읽기가 가능합니다. 딥 파워 다운은 이것을 100nA로 만듭니다.
빠른 읽기 모드에서 작동은 최대 120MHz이고 데이터 전송 속도는 최대 480Mbits/s입니다.
또한 DTR(double transfer-rate) 쿼드 I/O 인터페이스를 통해 60MHz에서 작동하는 '낮은 EMI' 모드가 있으며, 클록 생성 잡음을 최소화하면서 480Mbit/s 데이터 전송도 제공한다고 GigaDevice는 말했습니다.
작동은 -40 ~ + 85 ° C 이상입니다.
"고급 프로세스 노드에서 제조된 칩 사용자는 저전압 플래시 메모리 제품이 필요합니다.
IoT 장치, 휴대폰, PC, 랩톱 및 소비자 장치와 같이 지원하는 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다.”라고 GigaDevice 마케팅 이사 Syed Hussain은 말했습니다.
GD25UF64E 제품 페이지는 여기에서 찾을 수 있습니다.