GD25UF シリーズと呼ばれ、1.14V ～ 1.26V で動作し、「よりシンプルな電源システム アーキテクチャを提供し、SoC またはプロセッサの I/O ピンと GD25UF デバイスとの間の直接インターフェイスを提供します」と、同社は述べています。
64M ビットの GD25UF64E は、3 x 4mm SOP8 パッケージ、4 x 4mm USON8、WLCSP、または既知の良好なダイで生産されています。
128Mbit の GD25UF128E はサンプル出荷中で、32Mbit と 256Mbit はパイプラインにあります。
低電力モードでは、最大 50MHz での動作が可能です。 この周波数以下では、0.4mA でアクティブ読み取りが可能です。 ディープ パワーダウンにより、これは 100nA になります。
高速読み取りモードでは、動作は最大 120MHz で、データ転送は最大 480Mbits/s です。
GigaDevice によると、「低 EMI」モードもあり、ダブル転送レート (DTR) クワッド I/O インターフェイスを介して 60MHz で動作し、クロック生成ノイズを最小限に抑えながら 480Mbit/s のデータ転送も提供します。
動作は-40〜 + 85°Cです。
「高度なプロセス ノードで製造されたチップのユーザーは、低電圧のフラッシュ メモリ製品を必要としています。
IoT デバイス、携帯電話、PC、ラップトップ、消費者向けデバイスなど、サポートするアプリケーション向けに最適化されています。
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