Dipanggil siri GD25UF, ia dijalankan dari 1.14V-1.26V dan "menyediakan seni bina sistem kuasa yang lebih mudah, dan untuk antara muka langsung antara pin I/O SoC atau pemproses dan peranti GD25UF", menurut syarikat itu.
64Mbit GD25UF64E sedang dikeluarkan dalam pembungkusan 3 x 4mm SOP8, 4 x 4mm USON8, WLCSP atau dikenali-good-die.
128Mbit GD25UF128E sedang persampelan, dan 32 dan 256Mbit sedang dalam perancangan.
Mod kuasa rendah membolehkan operasi sehingga 50MHz. Di bawah frekuensi ini, bacaan aktif boleh didapati pada 0.4mA. Penurunan kuasa mendalam membawa ini kepada 100nA.
Dalam mod baca pantas, operasi adalah sehingga 120MHz dan pemindahan data sehingga 480Mbits/s.
Terdapat juga mod 'EMI rendah', beroperasi pada 60MHz melalui antara muka quad I/O kadar pemindahan berganda (DTR), yang juga menawarkan pemindahan data 480Mbit/s sambil meminimumkan hingar yang dijana jam, kata GigaDevice.
Operasi melebihi -40 hingga + 85 ° C.
“Pengguna cip yang dihasilkan pada nod proses lanjutan memerlukan produk memori flash voltan rendah
yang dioptimumkan untuk aplikasi yang mereka sokong, seperti peranti IoT, telefon mudah alih, PC, komputer riba dan peranti pengguna,” kata pengarah pemasaran GigaDevice Syed Hussain.
Halaman produk GD25UF64E boleh didapati di sini