המכונה סדרת GD25UF, הם פועלים מ-1.14V-1.26V ו"מספקים ארכיטקטורת מערכת חשמל פשוטה יותר, ועבור התממשקות ישירה בין פיני ה-I/O של ה-SoC או המעבד והתקן GD25UF", על פי החברה.
ה-64Mbit GD25UF64E נמצא בייצור באריזת SOP3 בגודל 4 x 8 מ"מ, 4 x 4 מ"מ USON8, WLCSP או קובייה ידועה-טובה.
ה-128Mbit GD25UF128E הוא דגימה, ו-32 ו-256Mbit נמצאים בצנרת.
מצב צריכת חשמל נמוכה מאפשר פעולה עד 50MHz. מתחת לתדר זה, קריאה פעילה אפשרית ב-0.4mA. כיבוי עמוק לוקח את זה ל-100nA.
במצב קריאה מהירה, הפעולה היא עד 120MHz והעברת נתונים עד 480Mbits/s.
קיים גם מצב 'EMI נמוך', הפועל במהירות של 60 מגה-הרץ על פני ממשק קלט/פלט מרובע (DTR) כפול, המציע גם העברת נתונים של 480 מגה-ביט לשנייה תוך מזעור רעש שנוצר בשעון, אמר GigaDevice.
הפעולה היא מעל -40 עד +85 מעלות צלזיוס.
"משתמשי שבבים המיוצרים בצמתי תהליך מתקדם דורשים מוצרי זיכרון פלאש במתח נמוך
מותאמים ליישומים שהם תומכים בהם, כמו מכשירי IoT, טלפונים ניידים, מחשבים אישיים, מחשבים ניידים ומכשירי צרכנים", אמר מנהל השיווק של GigaDevice, סייד חוסיין.
את דף המוצר GD25UF64E ניתן למצוא כאן