Chiamate serie GD25UF, funzionano da 1.14 V a 1.26 V e "forniscono un'architettura del sistema di alimentazione più semplice e un'interfaccia diretta tra i pin I/O del SoC o del processore e il dispositivo GD25UF", secondo l'azienda.
Il GD64UF25E a 64 Mbit è in produzione in packaging SOP3 4 x 8 mm, USON4 4 x 8 mm, WLCSP o die noto.
Il GD128UF25E da 128 Mbit è in fase di campionamento e 32 e 256 Mbit sono in cantiere.
Una modalità a basso consumo consente il funzionamento fino a 50 MHz. Al di sotto di questa frequenza, la lettura attiva è possibile a 0.4 mA. Lo spegnimento profondo lo porta a 100 nA.
In modalità di lettura rapida, il funzionamento è fino a 120 MHz e il trasferimento dati fino a 480 Mbit/s.
Esiste anche una modalità "bassa EMI", che opera a 60 MHz su un'interfaccia quad I/O a doppia velocità di trasferimento (DTR), che offre anche un trasferimento dati a 480 Mbit/s riducendo al minimo il rumore generato dal clock, ha affermato GigaDevice.
Il funzionamento è compreso tra -40 e + 85 ° C.
“Gli utenti di chip fabbricati in nodi di processo avanzati richiedono prodotti di memoria flash a bassa tensione
che sono ottimizzati per le applicazioni che supportano, come dispositivi IoT, telefoni cellulari, PC, laptop e dispositivi consumer", ha dichiarato Syed Hussain, direttore marketing di GigaDevice.
La pagina del prodotto GD25UF64E può essere trovata qui