ชิป เทคโนโลยี ได้เปิดตัวบอร์ดสาธิต E-Fuse ซึ่งเปิดใช้งานโดยเทคโนโลยี SiC โดยมีให้เลือก 400 รูปแบบสำหรับระบบแบตเตอรี่ 800–30 และมีพิกัดกระแสไฟสูงถึง XNUMXA
เพราะมันสูง-แรงดันไฟฟ้า การออกแบบโซลิดสเตต เครื่องสาธิต E-Fuse สามารถตรวจจับและขัดจังหวะกระแสไฟเสียในไมโครวินาที ซึ่งเร็วกว่าวิธีเชิงกลทั่วไปถึง 100–500 เท่า เวลาตอบสนองที่รวดเร็วจะลดจุดสูงสุดในระยะสั้นลงอย่างมากวงจรไฟฟ้า กระแสตั้งแต่หลายสิบกิโลแอมป์ไปจนถึงหลายร้อยแอมป์ ซึ่งสามารถหยุดเหตุการณ์ฟอลต์ไม่ให้ส่งผลให้เกิดความล้มเหลวอย่างหนักได้
Clayton Pillion รองประธานหน่วยธุรกิจซิลิกอนคาร์ไบด์ของไมโครชิพกล่าวว่า "เครื่องสาธิต E-Fuse ช่วยให้นักออกแบบ BEV/HEV OEM ได้รับโซลูชันเทคโนโลยีที่ใช้ SiC เพื่อเริ่มต้นกระบวนการพัฒนาอย่างรวดเร็วด้วยวิธีการที่รวดเร็วและเชื่อถือได้มากขึ้นในการปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง" “การออกแบบโซลิดสเตต E-Fuse ยังช่วยบรรเทาความกังวลด้านความน่าเชื่อถือในระยะยาวเกี่ยวกับอุปกรณ์ระบบเครื่องกลไฟฟ้า เนื่องจากไม่มีการเสื่อมสภาพจากการกระแทกทางกล ประกายไฟ หรือการตีกลับของหน้าสัมผัส”
ด้วยคุณลักษณะที่ตั้งค่าใหม่ได้ของผู้สาธิต นักออกแบบสามารถบรรจุ E-Fuse ในรถยนต์ได้อย่างง่ายดายโดยไม่ต้องแบกรับข้อจำกัดด้านการออกแบบเพื่อการบริการ สิ่งนี้ช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบและช่วยให้บรรจุภัณฑ์ยานยนต์มีความยืดหยุ่นเพื่อปรับปรุงการกระจายของระบบไฟฟ้า BEV/HEV
OEM สามารถเร่งความเร็วการพัฒนาแอปพลิเคชันเสริมที่ใช้ SiC ด้วยเครื่องสาธิตได้ เนื่องจากอินเทอร์เฟซการสื่อสาร LIN ในตัว อินเทอร์เฟซ LIN ช่วยให้สามารถกำหนดค่าคุณลักษณะการเดินทางกระแสเกินโดยไม่จำเป็นต้องแก้ไขส่วนประกอบฮาร์ดแวร์ และยังรายงานสถานะการวินิจฉัยอีกด้วย
ผู้สาธิตใช้ประโยชน์จากความทนทานและประสิทธิภาพที่เหนือชั้นของ SiC ของบริษัท MOSFET เทคโนโลยีและ CIP ของไมโครคอนโทรลเลอร์ PIC พร้อมอินเทอร์เฟซแบบ LIN ส่วนประกอบร่วมนั้นผ่านการรับรองสำหรับยานยนต์และให้จำนวนชิ้นส่วนที่ต่ำกว่าและความน่าเชื่อถือที่สูงกว่าในการออกแบบแยกต่างหาก
ดูเพิ่มเติม : โมดูล IGBT | จอแสดงผล LCD | ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์