#AP0503GMA APEC AP0503GMA Neu Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, APAK-5, FET-Allzweckstrom, AP0503GMA-Bilder, AP0503GMA-Preis, #AP0503GMA-Lieferant
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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Manufacturer Part Number: AP0503GMA
Teilelebenszykluscode: Wenden Sie sich an den Hersteller
Ihs Hersteller: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Pin-Anzahl: 5
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp
Risikorang: 5.71
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 29 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 30 V.
Drainstrom-Max (ID): 75 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.0042 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PSSO-G4
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 300 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Transistoranwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, APAK-5, FET-Allzweckstromversorgung
Teilelebenszykluscode: Wenden Sie sich an den Hersteller
Ihs Hersteller: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Pin-Anzahl: 5
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp
Risikorang: 5.71
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 29 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 30 V.
Drainstrom-Max (ID): 75 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.0042 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PSSO-G4
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 300 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: EINZELN
Transistoranwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, APAK-5, FET-Allzweckstromversorgung