#AP0503GMA APEC AP0503GMA Mới Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, APAK-5, FET General Purpose Power, ảnh AP0503GMA, giá AP0503GMA, nhà cung cấp # AP0503GMA
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: AP0503GMA
Mã vòng đời một phần: Liên hệ với nhà sản xuất
Ihs Nhà sản xuất: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Mô tả gói hàng: NHỎ OUTLINE, R-PSSO-G4
Số lượng pin: 5
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Advanced Power Electronics Corp
Xếp hạng rủi ro: 5.71
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 29 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 30 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 75 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.0042 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PSSO-G4
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 4
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 300 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Ứng dụng bóng bán dẫn: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, TUÂN THỦ ROHS, APAK-5, FET
Mã vòng đời một phần: Liên hệ với nhà sản xuất
Ihs Nhà sản xuất: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Mô tả gói hàng: NHỎ OUTLINE, R-PSSO-G4
Số lượng pin: 5
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Advanced Power Electronics Corp
Xếp hạng rủi ro: 5.71
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 29 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 30 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 75 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.0042 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PSSO-G4
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 4
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 300 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Ứng dụng bóng bán dẫn: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, TUÂN THỦ ROHS, APAK-5, FET