#AP0503GMA APECAP0503GMA新規 トランジスタ 75 A、30 V、0.0042オーム、Nチャンネル、Si、POWER、 モスフェット、ROHS準拠、APAK-5、FET汎用電源、AP0503GMA写真、AP0503GMA価格、＃AP0503GMAサプライヤー
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メール：[メール保護]
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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メーカー部品番号: AP0503GMA
部品ライフサイクルコード：メーカーにお問い合わせください
Ihsメーカー：ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PSSO-G4
ピン数：5
ECCNコード：EAR99
メーカー：Advanced Power Electronics Corp
リスクランク：5.71
アバランチエネルギー定格（Eas）：29 mJ
ケース接続：DRAIN
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：30 V
ドレイン電流-最大（ID）：75 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.0042Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JESD-30コード：R-PSSO-G4
要素数：1
ターミナル数：4
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
パルスドレイン電流-最大（IDM）：300 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：はい
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：SINGLE
トランジスタアプリケーション：スイッチング
トランジスタ エレメント材質：シリコン
トランジスタ 75 A、30 V、0.0042オーム、Nチャンネル、Si、POWER、 モスフェット、ROHS準拠、APAK-5、FET汎用電源
部品ライフサイクルコード：メーカーにお問い合わせください
Ihsメーカー：ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PSSO-G4
ピン数：5
ECCNコード：EAR99
メーカー：Advanced Power Electronics Corp
リスクランク：5.71
アバランチエネルギー定格（Eas）：29 mJ
ケース接続：DRAIN
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：30 V
ドレイン電流-最大（ID）：75 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.0042Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JESD-30コード：R-PSSO-G4
要素数：1
ターミナル数：4
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
パルスドレイン電流-最大（IDM）：300 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：はい
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：SINGLE
トランジスタアプリケーション：スイッチング
トランジスタ エレメント材質：シリコン
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