#AP0503GMA APEC AP0503GMA Novo Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, APAK-5, FET General Purpose Power, imagens AP0503GMA, preço AP0503GMA, fornecedor # AP0503GMA
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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Manufacturer Part Number: AP0503GMA
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Contagem de pinos: 5
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp
Classificação de risco: 5.71
Classificação de energia de avalanche (Eas): 29 mJ
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 75 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.0042 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PSSO-G4
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 300 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição terminal: SINGLE
Aplicação do transistor: SWITCHING
Transistor Material do Elemento: SILICON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, EM CONFORMIDADE COM ROHS, APAK-5, Potência de uso geral FET
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Contagem de pinos: 5
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp
Classificação de risco: 5.71
Classificação de energia de avalanche (Eas): 29 mJ
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 75 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.0042 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PSSO-G4
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 300 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição terminal: SINGLE
Aplicação do transistor: SWITCHING
Transistor Material do Elemento: SILICON
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, EM CONFORMIDADE COM ROHS, APAK-5, Potência de uso geral FET