#AP0503GMA APEC AP0503GMA Novità Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, CONFORME ROHS, APAK-5, FET General Purpose Power, immagini AP0503GMA, prezzo AP0503GMA, fornitore #AP0503GMA
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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Codice articolo produttore: AP0503GMA
Codice del ciclo di vita della parte: contattare il produttore
Ihs Produttore: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G4
Numero pin: 5
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Advanced Power Electronics Corp
Grado di rischio: 5.71
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 29 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (ID): 75 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.0042 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PSSO-G4
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 4
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 300 A
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
Applicazione transistor: COMMUTAZIONE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, CONFORME A ROHS, APAK-5, FET Alimentazione per usi generici
Codice del ciclo di vita della parte: contattare il produttore
Ihs Produttore: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G4
Numero pin: 5
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Advanced Power Electronics Corp
Grado di rischio: 5.71
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 29 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (ID): 75 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.0042 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PSSO-G4
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 4
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 300 A
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
Applicazione transistor: COMMUTAZIONE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, CONFORME A ROHS, APAK-5, FET Alimentazione per usi generici