#AP0503GMA APEC AP0503GMA 신규 트랜지스터 75A, 30V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, 전원, 이끼, ROHS 준수, APAK-5, FET 범용 전원, AP0503GMA 사진, AP0503GMA 가격, #AP0503GMA 공급업체
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이메일 : [이메일 보호]
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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제조업체 부품 번호: AP0503GMA
부품 수명주기 코드 : 제조업체에 문의
제조사: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Pin Count : 5
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Advanced Power Electronics Corp
위험 순위 : 5.71
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 29mJ
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (ID) : 75A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.0042 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PSSO-G4
요소 수 : 1
터미널 수 : 4
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 300A
자격 상태 : 자격 없음
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : 단일
트랜지스터 응용 : 스위칭
트랜지스터 요소 재질 : 실리콘
트랜지스터 75A, 30V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, 전원, 이끼, ROHS 준수, APAK-5, FET 범용 전원
부품 수명주기 코드 : 제조업체에 문의
제조사: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Pin Count : 5
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Advanced Power Electronics Corp
위험 순위 : 5.71
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 29mJ
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (ID) : 75A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.0042 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PSSO-G4
요소 수 : 1
터미널 수 : 4
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 300A
자격 상태 : 자격 없음
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : 단일
트랜지스터 응용 : 스위칭
트랜지스터 요소 재질 : 실리콘
트랜지스터 75A, 30V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, 전원, 이끼, ROHS 준수, APAK-5, FET 범용 전원