#AP0503GMA APEC AP0503GMA Nouveau Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORMITÉ ROHS, APAK-5, Alimentation à usage général FET, images AP0503GMA, prix AP0503GMA, fournisseur #AP0503GMA
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https://www.slw-ele.com/ap0503gma.html
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Manufacturer Part Number: AP0503GMA
Code du cycle de vie de la pièce: Contacter le fabricant
Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PSSO-G4
Nombre de broches: 5
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Advanced Power Electronics Corp
Classement de risque: 5.71
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 29 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 75 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0042 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PSSO-G4
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 300 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: UNIQUE
Application de transistor: COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORME ROHS, APAK-5, FET Alimentation à usage général
Code du cycle de vie de la pièce: Contacter le fabricant
Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PSSO-G4
Nombre de broches: 5
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Advanced Power Electronics Corp
Classement de risque: 5.71
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 29 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 75 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0042 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PSSO-G4
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 300 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: UNIQUE
Application de transistor: COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor 75 A, 30 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORME ROHS, APAK-5, FET Alimentation à usage général