Mai. 1, 2023 /SemiMedia/ — Infineon Technologies AG und Schweizer elektronisch AG haben einen innovativen Ansatz angekündigt, um die Effizienz von Chips auf Siliziumkarbid (SiC)-Basis weiter zu verbessern.
Die beiden Partner entwickeln eine Lösung, die den 1200-V-CoolSiC™-Chip von Infineon direkt auf einen gedruckten Chip bettet Schaltung Platine (PCB), die die Reichweite erhöht und die Gesamtsystemkosten von Elektrofahrzeugen senkt.
Das Potenzial dieses neuen Ansatzes haben die beiden Unternehmen bereits demonstriert: Sie konnten einen 48 V MOSFET in der Leiterplatte. Dies führte zu einer Leistungssteigerung von 35 Prozent. SCHWEIZER trägt zu diesem Erfolg mit seiner innovativen Lösung p²Pack® bei, die es ermöglicht, Leistungshalbleiter in Leiterplatten einzubetten.
„Unser gemeinsames Ziel ist es, die automobile Leistungselektronik auf die nächste Stufe zu heben“, sagt Robert Hermann, Product Line Head Automotive High-Spannung Diskrete und Chips von Infineon. „Die niederinduktive Umgebung einer Leiterplatte ermöglicht ein sauberes und schnelles Schalten. In Kombination mit der führenden Leistung von 1200-V-CoolSiC™-Geräten ermöglicht die Chip-Einbettung hochintegrierte und effiziente Wechselrichter, die die Gesamtsystemkosten senken.“
„Mit den zu 100 Prozent elektrisch geprüften Standardzellen (S-Cell) von Infineon können wir im p²-Pack-Herstellungsprozess hohe Gesamtausbeuten erzielen“, sagte Thomas Gottwald, Vizepräsident Technologie bei der Schweizer Electronic AG. „Die schnellen Schalteigenschaften der CoolSiC-Chips werden durch die niederinduktive Verschaltung, die mit dem p² Pack erreicht werden kann, optimal unterstützt. Dies führt zu einer höheren Effizienz und einer verbesserten Zuverlässigkeit von Stromumwandlungseinheiten wie Traktionswechselrichtern, DC-DC-Wandlern oder Bordladegeräten.“
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