#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Neues IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material, FZ2400R12HE4_B9 Bilder, FZ2400R12HE4_B9 Preis, #FZ2400R12HE4_B9 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
Typische Anwendungen
Hochleistungswandler
Motorantrieb
Elektrische Funktion
Erweiterte Betriebstemperatur Tvj op
Geringe Schaltverluste
Mechanische Eigenschaften
Paket mit CTI >400
Hochleistungsdichte
IHM B Haus
RoHS-konform
Voraufgetragenes Wärmeleitmaterial
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Wandler
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter-SpannungTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Dauer-DC-KollektorstromTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A.
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitiver Kollektor-Spitzenstrom tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/-20 V
Typische Anwendungen
Hochleistungswandler
Motorantrieb
Elektrische Funktion
Erweiterte Betriebstemperatur Tvj op
Geringe Schaltverluste
Mechanische Eigenschaften
Paket mit CTI >400
Hochleistungsdichte
IHM B Haus
RoHS-konform
Voraufgetragenes Wärmeleitmaterial
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Wandler
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter-SpannungTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Dauer-DC-KollektorstromTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A.
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitiver Kollektor-Spitzenstrom tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material