#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Mô-đun IHM-B mới dành cho rãnh/Feldstopp IGBT4 và Bộ điều khiển bộ phát 4 Điốt và bereits aufgetragenem Vật liệu giao diện nhiệt, hình ảnh FZ2400R12HE4_B9, giá FZ2400R12HE4_B9, #FZ2400R12HE4_B9 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/fz2400r12he4-b9.html
-----------------------
FZ2400R12HE4_B9
Các ứng dụng tiêu biểu
Bộ chuyển đổi năng lượng cao
Ổ đĩa động cơ
Tính năng điện
Nhiệt độ hoạt động mở rộng Tvj op
Mất chuyển mạch thấp
Tính năng cơ học
Gói hàng có CTI >400
Mật độ công suất cao
Nhà IHM B
RoHS compliant
Vật liệu giao diện nhiệt được áp dụng trước
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Biến tần
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Điện áp Collector-EmitterTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Dòng điện thu DC liên tụcTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC tên 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Dòng cực thu đỉnh lặp lạitP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Điện áp cao nhất của Gate-emitter VGES +/- 20 V
Các ứng dụng tiêu biểu
Bộ chuyển đổi năng lượng cao
Ổ đĩa động cơ
Tính năng điện
Nhiệt độ hoạt động mở rộng Tvj op
Mất chuyển mạch thấp
Tính năng cơ học
Gói hàng có CTI >400
Mật độ công suất cao
Nhà IHM B
RoHS compliant
Vật liệu giao diện nhiệt được áp dụng trước
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Biến tần
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Điện áp Collector-EmitterTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Dòng điện thu DC liên tụcTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC tên 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Dòng cực thu đỉnh lặp lạitP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Điện áp cao nhất của Gate-emitter VGES +/- 20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 và Emitter Controlled 4 Diode và bereits aufgetragenem Vật liệu giao diện nhiệt