#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Nuovo modulo IHM-B con fossato/Feldstopp sottile IGBT4 ed emettitore controllato 4 diodi e bere materiale di interfaccia termica integrato, immagini FZ2400R12HE4_B9, prezzo FZ2400R12HE4_B9, fornitore #FZ2400R12HE4_B9
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FZ2400R12HE4_B9
Applicazioni tipiche
Convertitore ad alta potenza
comando a motore
Caratteristica elettrica
Temperatura di esercizio estesa Tvj op
Bassa perdita di commutazione
Caratteristiche meccaniche
Pacchetto con CTI >400
Alta densità di potenza
IHM B alloggiamento
A norma RoHS
Materiale dell'interfaccia termica pre-applicato
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Invertitore
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tensione collettore-emettitoreTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Corrente continua del collettore CCTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nominale 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corrente ripetitiva del collettore di picco tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Tensione di picco dell'emettitore di gate VGE +/-20 V
Applicazioni tipiche
Convertitore ad alta potenza
comando a motore
Caratteristica elettrica
Temperatura di esercizio estesa Tvj op
Bassa perdita di commutazione
Caratteristiche meccaniche
Pacchetto con CTI >400
Alta densità di potenza
IHM B alloggiamento
A norma RoHS
Materiale dell'interfaccia termica pre-applicato
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Invertitore
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tensione collettore-emettitoreTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Corrente continua del collettore CCTH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nominale 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corrente ripetitiva del collettore di picco tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Tensione di picco dell'emettitore di gate VGE +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 ed emettitore controllato a 4 diodi e accessori per l'interfaccia termica Materiale