#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Novo módulo IHM-B com trincheira/feldstopp IGBT4 e emissor controlado 4 diodos e bereits aufgetragenem Thermal Interface Material, imagens FZ2400R12HE4_B9, preço FZ2400R12HE4_B9, fornecedor #FZ2400R12HE4_B9
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Email: sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
Aplicações típicas
Conversor de alta potência
acionamento do motor
Recurso elétrico
Temperatura operacional estendida Tvj op
Baixa perda de comutação
Recursos mecânicos
Pacote com CTI> 400
Densidade de alta potência
Casa IHM B
compatível com RoHS
Matéria de interface térmica pré-aplicada
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inversor
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tensão do coletor-emissor Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Contínuo DC coletor atual TH = 90 ° C, Tvj max = 175 ° C IC nome 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corrente de coletor de pico repetitivo tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emissor de tensão de pico VGES +/- 20 V
Aplicações típicas
Conversor de alta potência
acionamento do motor
Recurso elétrico
Temperatura operacional estendida Tvj op
Baixa perda de comutação
Recursos mecânicos
Pacote com CTI> 400
Densidade de alta potência
Casa IHM B
compatível com RoHS
Matéria de interface térmica pré-aplicada
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inversor
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tensão do coletor-emissor Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Contínuo DC coletor atual TH = 90 ° C, Tvj max = 175 ° C IC nome 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corrente de coletor de pico repetitivo tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emissor de tensão de pico VGES +/- 20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench / Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diodo und bereits aufgetragenem Material de interface térmica