#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 โมดูล IHM-B ใหม่พร้อมร่องลึก/Feldstopp IGBT4 และ Emitter ควบคุม 4 ไดโอดและ bereits aufgetragenem วัสดุเชื่อมต่อความร้อน, รูปภาพ FZ2400R12HE4_B9, ราคา FZ2400R12HE4_B9, #FZ2400R12HE4_B9
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/fz2400r12he4-b9.html
-----------------------
FZ2400R12HE4_B9
การใช้งานทั่วไป
ตัวแปลงกำลังสูง
มอเตอร์ขับเคลื่อน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
อุณหภูมิการทำงานที่เพิ่มขึ้น Tvj op
การสูญเสียการสลับต่ำ
คุณสมบัติทางกล
แพ็คเกจพร้อม CTI >400
ความหนาแน่นสูง
บ้าน IHM B
ผ่าน RoHS
วัสดุเชื่อมต่อในการระบายความร้อนล่วงหน้า
IGBT,เวคเซลริชเตอร์/IGBT,อินเวอร์เตอร์
Kollektor-Emitter-Sperrspannung แรงดันคอลเลคเตอร์ - อิมิตเตอร์Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom กระแสไฟ DC แบบต่อเนื่อง TH = 90 ° C, Tvj สูงสุด = 175 ° C IC นาม 2400 ก
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom ตัวสะสมยอดซ้ำ tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter แรงดันไฟฟ้าสูงสุด VGES +/-20 V
การใช้งานทั่วไป
ตัวแปลงกำลังสูง
มอเตอร์ขับเคลื่อน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
อุณหภูมิการทำงานที่เพิ่มขึ้น Tvj op
การสูญเสียการสลับต่ำ
คุณสมบัติทางกล
แพ็คเกจพร้อม CTI >400
ความหนาแน่นสูง
บ้าน IHM B
ผ่าน RoHS
วัสดุเชื่อมต่อในการระบายความร้อนล่วงหน้า
IGBT,เวคเซลริชเตอร์/IGBT,อินเวอร์เตอร์
Kollektor-Emitter-Sperrspannung แรงดันคอลเลคเตอร์ - อิมิตเตอร์Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom กระแสไฟ DC แบบต่อเนื่อง TH = 90 ° C, Tvj สูงสุด = 175 ° C IC นาม 2400 ก
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom ตัวสะสมยอดซ้ำ tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter แรงดันไฟฟ้าสูงสุด VGES +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 และ Emitter Controlled 4 Diode และ bereits aufgetragenem Thermal Interface Material