#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 새로운 IHM-B 모듈과 슈넬렘 트렌치/펠트스톱 IGBT4 및 이미터 제어 4 다이오드 및 열 인터페이스 재료 사용 가능, FZ2400R12HE4_B9 사진, FZ2400R12HE4_B9 가격, #FZ2400R12HE4_B9 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
전형적인 신청
고전력 변환기
모터 드라이브
전기적 특징
확장된 작동 온도 Tvj op
낮은 스위칭 손실
기계적 특징
CTI가 >400인 패키지
고출력밀도
IHM B 하우징
RoHS 준수 준수
사전 적용된 열 인터페이스 재료
IGBT,베흐셀리히터/IGBT,인버터
콜렉터-이미터-스페인 컬렉터-이미터 전압 Tvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom 연속 DC 콜렉터 전류TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC 공칭 2400A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom 반복 피크 컬렉터 전류tP = 1ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung 게이트-이미터 피크 전압 VGES +/-20 V
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모터 드라이브
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확장된 작동 온도 Tvj op
낮은 스위칭 손실
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CTI가 >400인 패키지
고출력밀도
IHM B 하우징
RoHS 준수 준수
사전 적용된 열 인터페이스 재료
IGBT,베흐셀리히터/IGBT,인버터
콜렉터-이미터-스페인 컬렉터-이미터 전압 Tvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom 연속 DC 콜렉터 전류TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC 공칭 2400A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom 반복 피크 컬렉터 전류tP = 1ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung 게이트-이미터 피크 전압 VGES +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 및 Emitter Controlled 4 다이오드 및 bereits aufgetragenem 열 인터페이스 재료