#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Nouveau module IHM-B avec tranchée/arrêt de terrain IGBTMatériau d'interface thermique à 4 diodes et émetteur contrôlé par 4 émetteurs, images FZ2400R12HE4_B9, prix FZ2400R12HE4_B9, fournisseur #FZ2400R12HE4_B9
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
Applications typiques
Convertisseur haute puissance
Entraînement moteur
Caractéristique électrique
Température de fonctionnement étendue Tvj op
Faible perte de commutation
Caractéristiques mécaniques
Forfait avec CTI >400
Haute densité de puissance
Logement IHM B
conforme RoHS
Materia d'interface thermique pré-appliquée
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Onduleur
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tension collecteur-émetteurTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Courant continu du collecteur CC TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Courant de collecteur de crête répétitiftP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Tension crête de l'émetteur porte VGES +/-20 V
Applications typiques
Convertisseur haute puissance
Entraînement moteur
Caractéristique électrique
Température de fonctionnement étendue Tvj op
Faible perte de commutation
Caractéristiques mécaniques
Forfait avec CTI >400
Haute densité de puissance
Logement IHM B
conforme RoHS
Materia d'interface thermique pré-appliquée
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Onduleur
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tension collecteur-émetteurTvj = 25°CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Courant continu du collecteur CC TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Courant de collecteur de crête répétitiftP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Tension crête de l'émetteur porte VGES +/-20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode et bereits aufgetragenem Thermal Interface Material