#FZ2400R12HE4_B9 Infineon FZ2400R12HE4_B9 Nuevo módulo IHM-B con zanjas y topes de campo IGBT4 y emisor controlado 4 diodo y bereits aufgetragenem material de interfaz térmica, imágenes FZ2400R12HE4_B9, precio FZ2400R12HE4_B9, proveedor #FZ2400R12HE4_B9
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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FZ2400R12HE4_B9
Aplicaciones típicas
Convertidor de alta potencia
accionamiento del motor
Característica electrica
Temperatura de funcionamiento extendida Tvj op
Baja pérdida de conmutación
Características Mecánicas
Paquete con CTI> 400
Densidad de alta potencia
Vivienda IHM B
RoHS
Materia de interfaz térmica preaplicada
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inversor
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Voltaje colector-emisor Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Corriente continua de colector de CC TH = 90 ° C, Tvj max = 175 ° C IC nominal 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corriente pico repetitiva del colector tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Voltaje pico de puerta-emisor VGES +/- 20 V
Aplicaciones típicas
Convertidor de alta potencia
accionamiento del motor
Característica electrica
Temperatura de funcionamiento extendida Tvj op
Baja pérdida de conmutación
Características Mecánicas
Paquete con CTI> 400
Densidad de alta potencia
Vivienda IHM B
RoHS
Materia de interfaz térmica preaplicada
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inversor
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Voltaje colector-emisor Tvj = 25 ° CVCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Corriente continua de colector de CC TH = 90 ° C, Tvj max = 175 ° C IC nominal 2400 A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Corriente pico repetitiva del colector tP = 1 ms ICRM 4800 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Voltaje pico de puerta-emisor VGES +/- 20 V
IHM-B Modul mit schnellem Trench / Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Material de interfaz térmica