Mouser hat jetzt die EliteSiC SiC)-Lösungsfamilie von onsemi auf Lager. Dieses Portfolio umfasst Dioden, Mosfets, IGBT und SiC-Dioden-PIMs sowie AEC-Q100-qualifizierte Geräte. Diese Geräte sind darauf optimiert, zuverlässige, hocheffiziente Leistung für Energieinfrastruktur- und industrielle Antriebsanwendungen zu liefern.
Erneuerbare Energien und industrielle Hochleistungsanwendungen erfordern eine hohe Durchschlagsfestigkeit Spannung, wie der 1700 V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET bietet. Das Gerät bietet einen maximalen Gate-Source-Spannungsbereich von -15 V bis +25 V und eignet sich daher ideal für schnelle Schaltanwendungen, bei denen die Gate-Spannungen auf -10 V ansteigen, was zu einer verbesserten Systemzuverlässigkeit führt. Der 1700-V-EliteSiC MOSFET erreicht eine marktführende Gate-Ladung (Qg) von 200 nC bei einer Testbedingung von 1200 V bei 40 A. Dieser niedrige Qg ermöglicht es dem Gerät, einen hohen Wirkungsgrad in schnell schaltenden Anwendungen für erneuerbare Energien mit hoher Leistung zu erreichen.
Mit einem BV-Nennwert von 1700 V liefern die EliteSiC-Schottky-Dioden NDSH25170A und NDSH10170A einen verbesserten Spielraum zwischen der maximalen Sperrspannung und der wiederkehrenden Spitzensperrspannung der Diode. Diese Bauelemente ermöglichen Entwicklern auch einen stabilen Hochspannungsbetrieb bei erhöhten Temperaturen und liefern gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad, der durch SiC ermöglicht wird.
Ganz gleich, ob es sich um eine Ladestation für Elektrofahrzeuge, ein Stromnetz mit erneuerbarer Energie oder industrielle Hochspannungs-/Hochstrom-Antriebsanwendungen handelt, diese Lösungen bieten erstklassige Effizienz bei geringeren Leistungsverlusten.
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