A Mouser agora oferece a família de soluções EliteSiC SiC) da onsemi. Este portfólio inclui diodos, mosfet, IGBT e PIMs de diodo SiC e dispositivos qualificados para AEC-Q100. Esses dispositivos são otimizados para oferecer desempenho confiável e de alta eficiência para infraestrutura de energia e aplicações de acionamento industrial.
As aplicações industriais de energia renovável e de alta potência exigem uma alta quebra Voltagem, como o 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC mosfet fornece. O dispositivo fornece uma faixa máxima de tensão porta-fonte de -15V a +25V, tornando-o ideal para aplicações de comutação rápida onde as tensões da porta estão crescendo para -10V, proporcionando maior confiabilidade do sistema. O EliteSiC de 1700V MOSFET atinge uma carga de porta (Qg) líder de mercado de 200nC em uma condição de teste de 1200V a 40A. Este baixo Qg permite que o dispositivo alcance alta eficiência em aplicações de energia renovável de alta potência e comutação rápida.
Com uma classificação BV de 1700V, os diodos NDSH25170A e NDSH10170A EliteSiC Schottky fornecem uma margem aprimorada entre a tensão reversa máxima e a tensão reversa repetitiva de pico do diodo. Esses dispositivos também permitem que os projetistas realizem uma operação estável de alta tensão em temperaturas elevadas, ao mesmo tempo em que oferecem alta eficiência possibilitada pelo SiC.
Quer se trate de uma estação de carregamento de VE, uma rede elétrica que usa energia renovável ou aplicações de acionamento industrial de alta tensão/alta corrente, essas soluções fornecem a melhor eficiência da categoria com menores perdas de energia.
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