Mouser artık onsemi'nin EliteSiC SiC) çözüm ailesini stokluyor. Bu portföy diyotları içerir, mosfetler, IGBT ve SiC diyot PIM'leri ve AEC-Q100 onaylı cihazlar. Bu cihazlar, enerji altyapısı ve endüstriyel sürücü uygulamaları için güvenilir, yüksek verimli performans sağlayacak şekilde optimize edilmiştir.
Yenilenebilir enerji ve yüksek güçlü endüstriyel uygulamalar yüksek arıza gerektirir Voltaj1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC olarak mosfet sağlar. Cihaz, -15V ila +25V arasında maksimum kapıdan kaynağa voltaj aralığı sağlayarak, kapı voltajlarının -10V'a çıktığı hızlı anahtarlama uygulamaları için ideal hale getirerek gelişmiş sistem güvenilirliği sağlar. 1700V EliteSiC MOSFET 200A'de 1200V test koşulunda 40nC'lik pazar lideri kapı şarjına (Qg) ulaşır. Bu düşük Qg, cihazın hızlı anahtarlamalı, yüksek güçlü yenilenebilir enerji uygulamalarında yüksek verime ulaşmasını sağlar.
1700V BV derecesine sahip NDSH25170A ve NDSH10170A EliteSiC Schottky diyotları, diyotun maksimum ters voltajı ile tekrarlanan tepe ters voltajı arasında gelişmiş bir marj sağlar. Bu cihazlar aynı zamanda tasarımcıların, SiC'nin sağladığı yüksek verimliliği sağlarken, yüksek sıcaklıklarda stabil yüksek voltajlı çalışma gerçekleştirmesine de olanak tanır.
İster EV şarj istasyonu, ister yenilenebilir enerji kullanan bir elektrik şebekesi, ister yüksek voltaj/yüksek akım endüstriyel tahrik uygulamaları olsun, bu çözümler, daha az güç kaybıyla sınıfının en iyisi verimliliği sağlar.
Daha fazla göster : IGBT modülleri | LCD ekranlar | Elektronik Bileşenler