Mouser ahora cuenta con la familia de soluciones EliteSiC SiC) de onsemi. Esta cartera incluye diodos, mosfets, IGBT y PIM de diodo SiC y dispositivos con certificación AEC-Q100. Estos dispositivos están optimizados para ofrecer un rendimiento confiable y de alta eficiencia para infraestructura energética y aplicaciones de accionamiento industrial.
Las aplicaciones industriales de energías renovables y de alta potencia exigen una avería alta voltaje, como el 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC mosfet proporciona. El dispositivo proporciona un rango máximo de voltaje de puerta a fuente de -15 V a +25 V, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación rápida donde los voltajes de puerta aumentan a -10 V, lo que proporciona una confiabilidad mejorada del sistema. El EliteSiC de 1700 V MOSFET alcanza una carga de puerta (Qg) líder en el mercado de 200 nC en una condición de prueba de 1200 V a 40 A. Este bajo Qg permite que el dispositivo alcance una alta eficiencia en aplicaciones de energía renovable de alta potencia y conmutación rápida.
Con una clasificación BV de 1700 V, los diodos Schottky NDSH25170A y NDSH10170A EliteSiC brindan un margen mejorado entre el voltaje inverso máximo y el voltaje inverso repetitivo máximo del diodo. Estos dispositivos también permiten a los diseñadores lograr una operación estable de alto voltaje a temperaturas elevadas mientras brindan una alta eficiencia habilitada por SiC.
Ya sea que se trate de una estación de carga EV, una red eléctrica que utiliza energía renovable o aplicaciones de accionamiento industrial de alto voltaje/alta corriente, estas soluciones brindan la mejor eficiencia de su clase con menores pérdidas de energía.
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