Mouser nunc cippo EliteSiC SiC) familia solutionum ab onsemi. Haec librarium includit diodes; mosfets, IGBT & SiC Diode PIMs, & AEC-Q100 idoneus machinis. Hae machinis optimized sunt ad certas tradendas, summus efficientia perficiendi pro industria infrastructurae et industrialis applicationes coegi.
Renovabilis industria et summus potentia applicationes industriae altam naufragii postulant voltageut 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC mosfet praebet. Cogitatus praebet maximam portam ad fontem voltage range -15V ad +25V, aptam faciens applicationum commutatione celeriter ubi portae voltages ad -10V augentur, melioris systematis constantiam praebens. 1700V EliteSiC MOSFET ad mercatum portae praefectum assequitur (Qg) 200nC ad condicionem experimenti 1200V in 40A. Hoc humilis Qg permittit machinam ad summum efficientiam in ieiunium mutandi, summus potentiae renovationis applicationes energiae.
Cum a BV aestimatione 1700V, in NDSH25170A et NDSH10170A EliteSiC Schottky diodes emendato margine inter maximam partem adversam et apicem repetita intentione diodi e converso liberant. Hae machinis etiam efficiunt ut designationes altae intentionis operandi in temperaturis elevatis stabilis efficiant, dum altam efficientiam a Sic datam tradent.
Utrum in statione EV impetuosa sit, eget potentia energiae renovabilis vel altae intentionis/altae-currentis applicationes coegi industrialis utens, solutiones hae solutiones optimae in genere efficientiae cum detrimentis potestatis imminutae supplent.
View more: IGBT modules | LCD propono | electronic lacinia