Mouser hiện cung cấp dòng giải pháp EliteSiC SiC) từ onsemi. Danh mục đầu tư này bao gồm điốt, mosfet, IGBT và PIM diode SiC cũng như các thiết bị đủ tiêu chuẩn AEC-Q100. Các thiết bị này được tối ưu hóa để mang lại hiệu suất cao, đáng tin cậy cho cơ sở hạ tầng năng lượng và các ứng dụng truyền động công nghiệp.
Năng lượng tái tạo và các ứng dụng công nghiệp năng lượng cao đòi hỏi sự cố cao Vôn, dưới dạng 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC mosfet cung cấp. Thiết bị này cung cấp dải điện áp cổng tới nguồn tối đa từ -15V đến +25V, lý tưởng cho các ứng dụng chuyển mạch nhanh trong đó điện áp cổng đang tăng lên -10V, giúp cải thiện độ tin cậy của hệ thống. EliteSiC 1700V MOSFE đạt được điện tích cổng dẫn đầu thị trường (Qg) là 200nC ở điều kiện thử nghiệm 1200V ở 40A. Qg thấp này cho phép thiết bị đạt được hiệu suất cao trong các ứng dụng năng lượng tái tạo công suất cao, chuyển mạch nhanh.
Với định mức BV là 1700V, đi-ốt Schottky NDSH25170A và NDSH10170A EliteSiC mang lại biên độ được cải thiện giữa điện áp ngược tối đa và điện áp ngược lặp đi lặp lại cực đại của đi-ốt. Các thiết bị này cũng cho phép các nhà thiết kế thực hiện hoạt động điện áp cao ổn định ở nhiệt độ cao đồng thời mang lại hiệu quả cao nhờ SiC.
Cho dù đó là trạm sạc EV, lưới điện sử dụng năng lượng tái tạo hay các ứng dụng truyền động công nghiệp điện áp cao/dòng điện cao, các giải pháp này đều mang lại hiệu quả tốt nhất trong phân khúc với tổn thất điện năng giảm.
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử