Mouser heeft nu de EliteSiC (SiC)-familie van oplossingen van onsemi op voorraad. Dit portfolio omvat diodes, mosfets, IGBT en SiC-diode PIM's, en AEC-Q100-gekwalificeerde apparaten. Deze apparaten zijn geoptimaliseerd om betrouwbare, hoogefficiënte prestaties te leveren voor energie-infrastructuur en industriële aandrijftoepassingen.
Hernieuwbare energie en krachtige industriële toepassingen vereisen een hoge uitval spanning, als de 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC mosfet biedt. Het apparaat biedt een maximaal gate-to-source-spanningsbereik van -15V tot +25V, waardoor het ideaal is voor snelle schakeltoepassingen waarbij poortspanningen oplopen tot -10V, wat een verbeterde systeembetrouwbaarheid oplevert. De 1700V EliteSiC MOSFET bereikt een marktleidende poortlading (Qg) van 200nC bij een testconditie van 1200V bij 40A. Dankzij deze lage Qg kan het apparaat een hoge efficiëntie bereiken bij snel schakelende, krachtige toepassingen voor hernieuwbare energie.
Met een BV-classificatie van 1700V leveren de NDSH25170A en NDSH10170A EliteSiC Schottky-diodes een verbeterde marge tussen de maximale sperspanning en de herhaalde piekspanning van de diode. Deze apparaten stellen ontwerpers ook in staat om een stabiele hoogspanningswerking bij verhoogde temperaturen tot stand te brengen en tegelijkertijd een hoge efficiëntie te leveren, mogelijk gemaakt door SiC.
Of het nu gaat om een EV-laadstation, een elektriciteitsnet dat gebruikmaakt van hernieuwbare energie of industriële aandrijftoepassingen met hoge spanning/hoge stroom, deze oplossingen bieden de beste efficiëntie in hun klasse met minder vermogensverliezen.
Bekijk meer : IGBT-modules | LCD-schermen | Elektronische Componenten