Mouser מחזיקה כעת במשפחת הפתרונות EliteSiC SiC) מבית onsem. תיק זה כולל דיודות, מוספים, IGBT ו-PIM של דיודות SiC, והתקנים מוסמכים ל-AEC-Q100. התקנים אלה מותאמים לספק ביצועים אמינים ויעילים במיוחד עבור תשתיות אנרגיה ויישומי הנעה תעשייתיים.
אנרגיה מתחדשת ויישומים תעשייתיים בעלי הספק גבוה דורשים התמוטטות גבוהה מתח, כמו 1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET מספק. המכשיר מספק טווח מתח מרבי של שער למקור של -15V עד +25V, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור יישומי מיתוג מהיר שבהם מתחי השער גדלים ל-10V, מה שמספק אמינות מערכת משופרת. ה-1700V EliteSiC MOSFET משיג טעינת שער (Qg) מובילה בשוק של 200nC בתנאי בדיקה של 1200V ב-40A. Qg נמוך זה מאפשר למכשיר להגיע ליעילות גבוהה במעבר מהיר, יישומי אנרגיה מתחדשת בעוצמה גבוהה.
עם דירוג BV של 1700V, דיודות NDSH25170A ו-NDSH10170A EliteSiC Schottky מספקות מרווח משופר בין המתח ההפוך המקסימלי לשיא המתח החוזר על עצמו של הדיודה. התקנים אלה גם מאפשרים למעצבים לבצע פעולה יציבה במתח גבוה בטמפרטורות גבוהות תוך אספקת יעילות גבוהה המאפשרת על ידי SiC.
בין אם מדובר בתחנת טעינה של EV, רשת חשמל המשתמשת באנרגיה מתחדשת או יישומי הנעה תעשייתיים במתח גבוה/זרם גבוה, פתרונות אלו מספקים יעילות ברמה הטובה ביותר עם ירידה בהפסדי הספק.
ראה עוד : מודולי IGBT | LCD מציג | רכיבים אלקטרוניים