Das SanRex DFA100BA160 ist ein komplexes isoliertes Modul, das für Schnellstromkreise entwickelt wurde. Es enthält sechs Dioden, die in einer dreiphasigen Brückenkonfiguration angeordnet sind, sowie einen Thyristor, der an eine Gleichstromleitung angeschlossen ist. Dieses kompakt gestaltete Modul bietet die Integration von Dioden- und Thyristorkomponenten und ist außerdem zwischen dem Elektrodenanschluss und der Montageplatte isoliert.
Produktinformationen: Merkmale: Lagerungs- und Transportrichtlinien:
Das Fuji 6MBP150NA060 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen maximalen Nennwerten und Eigenschaften. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):
Das Semikron SK45GH063 ist ein von Semikron hergestelltes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es ist für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert und verfügt über die folgenden Merkmale und Spezifikationen: Merkmale: Typische Anwendungen: Das IGBT-Modul SK45GH063 wird typischerweise in den folgenden Anwendungen verwendet: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Montage: Gewicht:
Die von Ihnen bereitgestellten Informationen beziehen sich auf ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Semikron mit der Modellnummer SKKD 75F12. Hier sind einige seiner Merkmale, Anwendungen und maximalen Nennwerte: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und es ist wichtig, es innerhalb der angegebenen Grenzen zu betreiben […]
Das IXYS VUO50-08NO3 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Funktionen und Anwendungen. Hier sind einige wichtige Details zu diesem Modul: Merkmale: Anwendungen: Vorteile: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben):
Das Fuji 6MBP300KA060-01 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die Spezifikationen und Eigenschaften dieses Moduls: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses Modul ist in der Lage, extrem hohe Strom- und Spannungspegel zu verarbeiten, wodurch es für Anwendungen wie industrielle Motorantriebe geeignet ist, [ …]
Das Fuji 6MBP150RA060-02 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Funktionen und maximalen Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der wichtigsten Spezifikationen: Merkmale: Maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses IGBT-Modul eignet sich für Hochleistungsanwendungen, bei denen effizientes Schalten und Temperaturmanagement unerlässlich sind.
Das Vishay VS-200MT160K ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Leistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen dieses Moduls: Merkmale: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Dieses Modul scheint ein robustes und leistungsstarkes IGBT-Modul zu sein, das für verschiedene Industrie- und Leistungselektronikanwendungen geeignet ist, insbesondere für solche, die Hochspannung erfordern […]