Demonstration der Produktionsparameter des ReRAM von Weebit Technologie bei 28 nm ist ein wichtiger Schritt zur Produktion eingebetteter nichtflüchtiger Speicher (NVM).
Weebit und CEA-Leti haben gemeinsam funktionale 1 Megabit (Mb) ReRAM-Arrays in einer 28-nm-Prozesstechnologie auf 300-mm-Wafern getestet, charakterisiert und gemessen.
Die 28-nm-ReRAM-Arrays werden unter Verwendung eines kleinen und energieeffizienten Schaltgeräts implementiert, das die Niedrigenergie- und Niederspannungsfähigkeiten des 28-nm-Prozesses voll ausnutzt und eine bis zu 4-fache Erhöhung der Speicherdichte ermöglicht.
Testen von Weebits One-Transistor-einer-Widerstand (1T1R) ReRAM-Arrays, eingebettet in 28-nm-FDSOI, haben ihre Robustheit, Ausdauer und Datenspeicherung unter Beweis gestellt.
Diese Demonstration positioniert die ReRAM-Technologie von Weebit als potenzielle Speichertechnologie in NVM für Prozesse, bei denen es technisch oder wirtschaftlich nicht mehr möglich ist, Embedded Flash zu verwenden.