Demonstratie van productieniveauparameters van Weebit's ReRAM technologie op 28 nm is een belangrijke stap in de richting van de productie van ingebed niet-vluchtig geheugen (NVM).
Weebit en CEA-Leti hebben gezamenlijk functionele 1 Megabit (Mb) ReRAM-arrays getest, gekarakteriseerd en gemeten in een 28nm-procestechnologie op 300 mm-wafers.
De 28nm ReRAM-arrays worden geïmplementeerd met behulp van een klein en energiezuinig schakelapparaat, waarbij optimaal wordt geprofiteerd van de laagvermogen- en laagspanningscapaciteiten van het 28nm-proces, en een tot 4 keer grotere geheugendichtheid mogelijk wordt gemaakt.
Testen van Weebit's een-Transistor-een-Weerstand (1T1R) ReRAM-arrays, ingebed in 28nm FDSOI, hebben hun robuustheid, uithoudingsvermogen en gegevensbehoud bewezen.
Deze demonstratie positioneert de ReRAM-technologie van Weebit als een potentiële geheugentechnologie in NVM voor processen waarbij het technisch of economisch niet langer haalbaar is om embedded flash te gebruiken.