Démonstration des paramètres de niveau de production de la ReRAM de Weebit sans souci à 28 nm constitue une étape clé vers la production de mémoires non volatiles (NVM) intégrées.
Weebit et le CEA-Leti ont testé, caractérisé et mesuré conjointement des matrices fonctionnelles ReRAM de 1 mégabit (Mo) dans une technologie de traitement de 28 nm sur des plaquettes de 300 mm.
Les matrices ReRAM 28 nm sont implémentées à l'aide d'un dispositif de commutation petit et économe en énergie, tirant pleinement parti des capacités de faible puissance et de basse tension du processus 28 nm, et permettant une augmentation jusqu'à 4 fois de la densité de mémoire.
Test de celui de Weebit-Transistor-une-Resistor (1T1R) Les baies ReRAM, intégrées dans du FDSOI 28 nm, ont prouvé leur robustesse, leur endurance et la rétention des données.
Cette démonstration positionne la technologie ReRAM de Weebit comme une technologie de mémoire potentielle dans NVM pour les processus où il n'est plus techniquement ou économiquement possible d'utiliser la mémoire flash intégrée.